我們的團隊充滿朝氣與活力，團隊平均年齡不超過30歲，70%以上人員擁有超5年的行業(yè)工作經(jīng)驗，我們?yōu)榭蛻籼峁┭邪l(fā)選型階段之規(guī)格推薦,樣品提供，技術支持及方案整合等專業(yè)的服務，并配合客戶依照需求提前備料及庫存管理。 

 

我們已經(jīng)在新能源、汽車電子、工業(yè)控制、電力電子、醫(yī)療、物聯(lián)網(wǎng)、機器人等領域擁有比較高的市場占有率。我們持續(xù)提供快速的反饋及優(yōu)越的交貨服務滿足客戶差異化之需求，以創(chuàng)造更高的產(chǎn)品附加價值。

BASiC基本碳化硅MOSFET具備開關中的小柵極電荷和器件電容、反并聯(lián)二極管無反向恢復損耗、與溫度無關的低開關損耗，以及無閾值通態(tài)特性等。非常適合硬開關和諧振開關拓撲，如LLC和ZVS，廣泛應用于OBC車載充電器，光伏儲能逆變器，充電樁電源模塊等，可以像IGBT或MOSFET一樣使用易于使用的驅(qū)動器進行驅(qū)動。由于能在高開關頻率下帶來高效率，從而可以減小系統(tǒng)尺寸、增大功率密度，并確保高可靠性，延長使用壽命。

BASiC基本SiC MOSFET,BASiC基本SiC Power MOSFET,SiC MOSFET模塊，BASiC基本SOT-227碳化硅肖特基二極管模塊，混合SiC-IGBT模塊，BASiC基本混合混合SiC-IGBT單管，分立碳化硅MOSFET，TO263-7碳化硅MOSFET，碳化硅（SiC）MOSFET，儲能逆變器SiC MOSFET，光伏逆變器SiC MOSFET

BASiC基本混合IGBT Hybrid Discrete搭載了為高頻開關優(yōu)化的IGBT晶圓以及650VBASiC基本SiC二極管，基本SiC二極管極小Qrr，有效降低對管IGBT開通損耗，且自身反向恢復損耗Erec也明顯降低，IGBT開通損耗隨溫度的影響很小，降低EMI，廣泛應用于OBC車載充電器，光伏儲能逆變器，充電樁電源模塊，移動儲能逆變器功率因數(shù)校正（PFC）、DC-DC（直流-直流）和DC-AC（直流-交流）等。