為什么在通用變頻器中SiC碳化硅MOSFET會逐步取代IGBT！
使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅通用變頻器！-傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷
使用基本公司SiC碳化硅MOSFET升級傳統(tǒng)IGBT通用變頻器，實現(xiàn)更高的通用變頻器高功率密度，通用變頻器高溫環(huán)境應用！通用變頻器低電機噪聲控制！取得通用變頻器能耗與性能的最優(yōu)權衡！
 
隨著銅價暴漲高燒不退，如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點，使用基本公司碳化硅MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊，可以顯著提頻降低系統(tǒng)綜合成本（電感磁性元件，散熱系統(tǒng)，整機重量），電力電子系統(tǒng)的全碳SiC時代，未來已來！傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷基本公司SiC碳化硅MOSFET！
 
傾佳電子（Changer Tech）致力于基本公司國產碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場的推廣！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!
 
 
基本公司SiC碳化硅MOSFET單管適用于通用變頻器，比如氣體保護焊，如氬弧焊、二氧化碳氣... [詳細介紹]